Effiziente DiCOC-Anlage für die Halbleiterindustrie

Dialtobaltoctacarbonyl (DiCOC) ist als zentrale chemische Verbindung für die Herstellung von Präkursoren unerlässlich bei der Herstellung modernster Chiptechnologie. Bei Präkursoren handelt es sich um flüchtige kobalthaltige Materialien mit denen mittels Gasabscheideprozessen sehr gezielt definierte Kobaltschichten erzeugt werden können.

Das passiert im sogenannten Atomic Layer Deposition-Prozess (ALD). Anders als bei klassischen Abscheideverfahren können hier auf verschiedensten Materialien oftmals nur wenige Nanometer dicke, aber zugleich gleichmäßige und reine Schichten erzeugt werden. Die Materialeigenschaften werden dabei durch das abgeschiedene Material bestimmt. Das Verfahren funktioniert auch auf dreidimensionalen Strukturen. Dies ermöglicht die Entwicklung von immer leistungsfähigeren und zugleich kleineren Bauteilen und trägt so zum Wandel von der zweidimensionalen zur dreidimensionalen Chiparchitektur bei. Das Verfahren wird daher in der Halbleiterindustrie immer wichtiger. Demnach steigt auch die Bedeutung der Effizienz des Verfahrens.

Eine innovative Produktionsanlage Unternehmens Umicore AG & Co. KG weist eine deutlich höhere Effizienz auf als herkömmliche Anlagen. Die Produktion von DiCOC kann mit der neuen Anlage um rund 30 % gesteigert werden, was bei einer Jahresproduktion von 5 Tonnen eine CO2-Einsparung von 90 Kilogramm pro Kilogramm DiCOC bedeutet. Dies sind rund 95 % im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren. Zudem wird die Qualität der Produkte mit der neuen Anlage gesteigert. Ein weiterer Vorteil ist, dass das Herstellverfahren bedarfsorientiert gesteuert werden kann und damit die Bereitstellung kobalthaltiger Materialien für zukünftige ALD-Verfahren gesichert wird. Dadurch wird die Wertschöpfungskette der entsprechenden Verfahren insgesamt chemikalien-, material- und energieeffizienter. Zusätzlich zu der höheren Effizienz und einer höheren Produktqualität fallen keine tatsächlichen Abfälle an.